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元件参数资料
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参数目录38870
> SIB412DK-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
型号:
SIB412DK-T1-E3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SIB412DK-T1-E3 PDF
产品目录绘图
SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323
标准包装
1
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
34 毫欧 @ 6.6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
10.16nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
535pF @ 10V
功率 - 最大
13W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
PowerPAK? SC-75-6L
供应商设备封装
PowerPAK? SC-75-6L 单
包装
标准包装
其它名称
SIB412DK-T1-E3DKR
查看SIB412DK-T1-E3代理商
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